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  。而是本文作者在面试新的电路设计人员时，用来判别应征者是不是真的是可以剖析模仿电路的工程师的“考题”，而透过这样的考题，即可从中除掉不适任的“杂草”…

  有时候我有必要面试某些填写应征“我”公司职位的人。不管哪一个企业都不时在改动，可是我需求一种方法来看看某些我很快就会和他在一起作业的人，他们在电路剖析中的才能。我想出了一个可提供给职位应征提名人电路，并要求他/她为我剖析我所指的电路某部分。

  一瞬间之后，我忽然想到这个电路能说是我的“除草机(杂草吞食者，weed-eater)”，因为它会铲除任何真实不善于处理模仿电路剖析的人。我想到的电路图：有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，衔接方法如图1所示。

  与其企图描绘一些面试者所阅历的弯曲旅程，我更想粗略地介绍一下我估计会做出的假定，以及随后的剖析。一开始的假定是，此晶体管是硅(Si)，并显现0.6伏特(V)基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值十分高，使得基极电流简直为零。

  关于NPN基本上为零的基极电流，R1和R2的电压在NPV的根底大将+12V导通电压分压为+4V。当Vbe为0.6V时，NPN发射极为+3.4V，在R3中流过的电流为3.4mA。

  PNP的Vbe为0.6V，如此使得R4中的电流为0.06mA或60μA。在PNP基极电流简直为零的情况下，因为NPN的ß值十分高，60μA成为NPN的集电极(collector)电流，也变成NPN的发射极电流。

  R5上的电压降为3.34V，当加到R3顶端的3.4V时，将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。

  是不是很简单呢?没错，这个电路是很简单。即便如此，这个电路帮我刷掉了许多不合格的职位提名人。

  John Dunn是电子参谋，结业于布鲁克林理工学院(BSEE)和纽约大学(MSEE)。